2025年3月21日消息，太极半导体（苏州）有限公司传来喜讯，国家知识产权局正式授予该公司一项名为‘多闪存芯片堆叠封装结构’的专利，授权公告号为CN222638977U，申请日期为2024年1月。这一创新性专利的诞生，标志着集成电路领域的一次突破，加大了存储技术的整合度！

　　专利摘要显示，这项新型设计实现了多个闪存芯片的堆叠，通过基板、环氧树脂封装、以及独特的DAF膜技术，使左侧和右侧的闪存芯片堆叠体能够对称、紧密地排列，从而有效减少了电路板的数量和体积，同时提升了存储的整体效率与系统的性能。

　　闪存芯片的紧密堆叠结构不仅节省了物理空间，也实现了更高的带宽与传输速度，简言之，就是让你的设备变得更快、更高效。想像一下，如果你的智能设备能在瞬息间处理更多数据，那是多么令人兴奋！

　　自2013年成立以来，太极半导体已经发展成为一家在计算机、通信与电子设备制造领域占据一席之地的企业。注册资本达72210.8475万人民币，实缴资本也与之相等，实力雄厚。公司参与招投标项目44次，拥有98条专利，构建起了多重知识产权保护机制，展现出极强的技术研发能力。

　　随着科技的不断发展，底层技术的突破为万物互联、智能化发展注入了强大动力，太极半导体的这一专利无疑将推动市场的转型与升级。我们期待在不久的将来，看到更多基于这一技术创新的前沿产品，彻底改变我们对存储的认知与体验！返回搜狐，查看更多

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