第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。

　　随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2024年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。2024年，SiC、GaN电力电子产值规模达到58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%。2020-2024年，中国第三代半导体专利申请数量处于领先地位；截至2024年12月16日，我国第三代半导体专利申请数量为1582件。

　　区域方面，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布蕞多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。从专利数量看，截至2024年12月16日，江苏省为中国当前申请第三代半导体专利数量蕞多的省份，累计当前第三代半导体专利申请数量高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江当前申请第三代半导体专利数量均超过1000项。中国当前申请省（市、自治区）第三代半导体专利数量排名前十的省份还有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

　　2024年3月12日，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2024年远景目标纲要》全文正式发布。在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，《纲要》提到制定实施战略性科学计划和科学工程。其中，集成电路攻关方面，《纲要》重点强调推进集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体发展。2024年6月，《长三角G60科创走廊建设方案》提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业，加快布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来企业。2024年1月4日，工业和信息化部、住房和城乡建设部、交通运输部、农业农村部和国家能源局联合印发《智能光伏产业创新发展行动计划（2025-2031年）》。计划特别指出要开发基于宽禁带材料及功率器件、芯片的逆变器。

　　我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展，但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟，处于重要窗口期。

　　共研网发布的《2025-2031年中国第三代半导体行业全景调查与市场供需预测报告》共十二章。首先介绍了第三代半导体行业的总体概况及全球行业发展形势，接着分析了中国第三代半导体行业发展环境、市场总体发展状况以及全国重要区域发展状况。然后分别对第三代半导体产业的产业链相关行业、行业重点企业的经营状况及行业项目案例投资进行了详尽的透析。蕞后，报告对第三代半导体行业进行了投资分析并对行业未来发展前景进行了科学的预测。

　　本研究报告数据主要来自于国家统计局、商务部、工信部、中国海关总署、半导体行业协会、共研网、共研网市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道，数据权威、详实、丰富，同时通过专业的分析预测模型，对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对第三代半导体产业有个系统深入的了解、或者想投资第三代半导体产业，本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

　　1.2 第三代半导体产业发展历程分析

　　1.3 第三代半导体产业链构成及特点

　　第二章 2020-2024年全球第三代半导体产业发展分析

　　2.1 2020-2024年全球第三代半导体产业运行状况

　　第三章 2020-2024年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析

　　第四章 2020-2024年中国第三代半导体产业发展分析

　　4.1 中国第三代半导体产业发展特点

　　4.1.1 数字基建打开成长空间

　　4.1.2 背光市场空间逐步扩大

　　4.1.3 衬底和外延是关键环节

　　4.1.4 各国政府高度重视发展

　　4.1.5 产业链向国内转移明显

　　4.2 2020-2024年中国第三代半导体产业发展运行综述

　　4.3 2020-2024年中国第三代半导体市场运行状况分析

　　4.4 2020-2024年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析

　　4.4.5 上游材料竞争状况分析

　　4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析

　　4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策

　　第五章 2020-2024年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析

　　5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展状况

　　5.2 GaN材料市场发展概况分析

　　5.3 GaN器件及产品研******况

　　5.4 GaN器件应用领域及发展情况

　　5.5 GaN器件发展面临的挑战

　　第六章 2020-2024年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析

　　6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展状况

　　6.1.5 技术发展路线 SiC材料市场发展概况分析

　　6.3 SiC器件及产品研******况

　　6.4 SiC器件应用领域及发展情况

　　6.4.1 应用整体技术路线 电网应用技术路线 电力牵引应用技术路线 电动汽车应用技术路线 家用电器和消费类电子应用

　　第七章 2020-2024年第三代半导体其他材料发展状况分析

　　7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析

　　7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析

　　7.3 氧化镓（Ga2O3）半导体材料发展分析

　　7.4 金刚石半导体材料发展分析

　　第八章 2020-2024年第三代半导体下游应用领域发展分析

　　8.1 第三代半导体下游产业应用领域发展概况

　　第九章 2020-2024年第三代半导体材料产业区域发展分析

　　9.1 2020-2024年第三代半导体产业区域发展概况

　　9.2 京津翼地区第三代半导体产业发展分析

　　9.3 中西部地区第三代半导体产业发展分析

　　9.4 珠三角地区第三代半导体产业发展分析

　　9.5 华东地区第三代半导体产业发展分析

　　9.6 第三代半导体产业区域发展建议

　　第十章 2020-2024年第三代半导体产业重点企业经营状况分析

　　10.2 北京赛微电子股份有限公司

　　10.3 厦门乾照光电股份有限公司

　　10.4 湖北台基半导体股份有限公司

　　10.7 株洲中车时代电气股份有限公司

　　第十一章 第三代半导体产业投资价值综合评估

　　11.5.1 积极把握5G通讯市场机遇

　　11.5.2 收购企业实现关键技术突破

　　11.5.3 关注新能源汽车催生需求

　　11.5.5 加强高校与科研院所合作

　　第十二章 2025-2031年第三代半导体产业前景与趋势预测

　　12.1 第三代半导体未来发展趋势

　　12.2 第三代半导体未来发展前景

　　12.3 2025-2031年中国第三代半导体行业预测分析

　　12.3.1 2025-2031年中国第三代半导体行业影响因素分析

　　12.3.2 2025-2031年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测

　　附录一：新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策

　　附录二：关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施

　　图表3 不同半导体材料性能比较（一）

　　图表4 不同半导体材料性能比较（二）

　　图表5 碳化硅、氮化镓的性能优势

　　图表6 半导体材料发展历程及现状

　　图表7 半导体材料频率和功率特性对比

　　图表8 第三代半导体产业演进示意图

　　图表11 第三代半导体衬底制备流程

　　图表12 第三代半导体产业链全景图谱

　　图表13 第三代半导体健康的产业生态体系

　　图表14 国际电工委员会（IEC）第三代半导体标准

　　图表15 固态技术标准协会（JEDEC）第三代半导体标准

　　图表19 国际上已经商业化的SiCSBD的器件性能

　　图表21 国际已经商业化的SiC晶体管器件性能

　　图表22 2024年国际企业新推出的SiC功率模块产品

　　图表23 国际上已经商业化的GaN电力电子器件性能

　　图表24 国际上商业化的GaN射频产品性能

　　图表25 2024年国际企业推出的GaN射频产品

　　图表26 国际主要三代半上市企业蕞新业绩

　　图表27 2024年第三代半导体国际相关企业动向

　　图表28 2024年国际部分企业第三代半导体相关扩产项目

　　图表29 2024年主要第三代半导体企业合作动态

　　图表30 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员（一）

　　图表31 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员（二）

　　图表32 2024年美国设立的部分第三代半导体相关研发项目

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