苏州世名光刻胶纳米材料产业园项目，由苏州世名科技股份有限公司投资，从事先进光敏材料及光刻胶纳米颜料分散液研发、生产项目，总投资20亿元，其中一期投资8亿元。
南京科思电子新材料生产基地项目，由南京科思化学股份有限公司投资，建设电子新材料综合研发、生产基地，总投资20亿元，其中一期投资10亿元，年纳税6000万元。
常州双联5G电子功能材料生产项目，由常州威斯双联科技有限公司投资，从事5G电子功能材料的研发、生产，总投资10亿元，年纳税6000万元。
浙江超容圆柱电芯生产项目，由浙江超容新能源科技有限公司及云和资本共同投资，从事轻型动力及电动工具用圆柱电芯研发、生产，总投资10亿元，其中一期投资5亿元，年纳税3500万元。
陕西华鼎5G云智能制造项目，由陕西华鼎集团和上海乐通通信公司共同投资，主要从事5G精密器件和笔记本电脑服务器生产，总投资5亿元，年纳税2000万元。
安徽共芯光电子及光模块产品基地项目，由安徽共芯光子科技有限公司投资，从事光电子及光模块产品研发、生产，总投资5亿元，年纳税3500万元。
深圳巅峰储能电源+中小尺寸液晶模组生产项目，由深圳巅峰科技股份有限公司投资，从事储能电源及中小尺寸液晶面板生产，总投资5亿元，年纳税2500万元。
深圳弘新通信设备生产项目，由深圳弘新科技有限公司投资，从事通信终端产品的精密设备生产，总投资3亿元，年纳税1500万元。
江苏荣泰科技电子元器件生产项目，由江苏荣泰科技有限公司投资建设，从事电子元器件中的石英晶片和晶振研发及生产，总投资3亿元，年纳税1500万元。
深圳盈鑫通高速光模块生产基地项目，由深圳盈鑫通光电有限公司投资，从事高速光电模块研发、生产，总投资2亿元，年纳税1500万元。
近期以来，半导体行业板块在二级市场表现较为强势，尤其是受益于晶圆厂扩产、国产替代进程等因素带动，光刻胶概念股出现大幅拉升，市场情绪较为激动。无独有偶，日前，在一个半导体行业的微信群内，关于行业正在就国内半导体领域紧缺的“光刻胶”高端耗材国产化进行交流时，方正证券首席电子分析师陈杭与中芯国际光刻工程师发生激烈“碰撞”，也引发市场的热议。事实上，作为半导体光刻核心耗材，光刻胶国产化率明显偏低，其市场主要被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、信越化学、陶氏化学等所主导。而在去年的新一轮《瓦森纳协定》修订中，增加了两条有关半导体领域的出口管制内容，主要涉及光刻软件以及12英寸晶圆技术，目标直指中国正在崛起的半导体产业。新版《瓦森纳
上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”）发布公告称，公司自主研发的KrF（248nm）厚膜光刻胶产品近日已通过客户认证，并成功取得*一笔订单。光刻胶材料作为集成电路制造领域的重要关键材料，被广泛应用于350nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。随着国内晶圆厂建设的不断增多，以及国外光刻胶巨头产能受限，供需紧张，国内对光刻胶产品的需求也将快速增长。此次上海新阳光刻胶产品取得首笔订单订单可谓是意义重大。上海新阳表示，本次产品认证的通过及订单的取得，标志着“KrF（248nm）厚膜光刻胶产品的开发和产业化” 取得了成功，为上海新阳在光刻技术领域目标的全面完成奠定了坚实基础。
6月22日，晶瑞股份在投资者互动平台表示，公司目前经营正常，得益于我国半导体材料国产替代加速以及公司在提前布局的产品品质及产能储备，公司目前主要产品如半导体光刻胶、高纯试剂等产销两旺。晶瑞股份还称，公司的KrF光刻胶完成中试，建成了中试示范线，目前正在客户产线μm的分辨率，测试通过后即可进入量产阶段。公司ArF高端光刻胶研发工作已正式启动，旨在研发满足90-28nm芯片制程的ArF（193nm）光刻胶，满足当前集成电路产业关键材料市场需求。晶瑞股份指出，公司购买的ASMLXT 1900 Gi型ArF浸入式光刻机目前处于设备调试阶段，同时Arf光刻胶的研发正在进行中。鉴于光刻胶紧缺的行业现状及我国光刻胶国产替代
2019年7月，日本针对三种半导体材料对韩国实施出口管制，其中包含用于极紫外（EUV）光刻工艺的光刻胶。据悉为降低对日本的依赖，三星SDI近期已经开始开发半导体光刻胶。据BusinessKorea报道，三星SDI*近为其研究中心的光刻胶开发引入了8英寸晶圆光刻和涂胶显影设备。该公司此举旨在将几乎由日本垄断的半导体光刻胶的生产内部化，并使旗下电子材料业务的单一产品组合变得多样化。目前，日本东京应化、JSR、住友化学、信越化学等日企握有全球九成半导体光刻胶市场份额。东京应化在g线/i线和Krf光刻胶领域居龙头地位， JSR在Arf光刻胶领域市占率*高。韩媒指出，三星SDI开发半导体光刻胶的举措将对韩国持续推进的材料国产化产生重大影响
6月11日，南大光电在投资者互动平台表示，公司ArF光刻胶产品拿到首个小批量订单，本期有极少量销售额。目前尚未实现稳定量产。南大光电表示，公司正在自主研发和产业化的ArF光刻胶可以用于90nm-14nm的集成电路工艺节点。ArF光刻胶产品价格将根据市场行情走势、询价结果确定。据悉，公司光刻胶项目已完成25吨产线建设，具备量产条件。具体投产时间需根据客户的订单情况确定。就在不久前，南大光电发布公告称，公司控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的ArF光刻胶产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破。近年来我国半导体企业对上游KrF
近期，由于日本信越化学KrF（248nm）光刻胶产能不足等原因，中国多家晶圆厂均面临KrF光刻胶供应紧张，部分中小晶圆厂的KrF光刻胶甚至出现了“断供”现象。在“一芯难求”的背景下，光刻胶的供应难问题再度引发业界广泛关注。光刻胶是光刻环节不可或缺的物质基础。在半导体制造过程中，光刻是*核心的加工工艺，直接决定了芯片成品的质量优劣，并*终影响下游应用的性能水平，耗时占据前道生产的 50%左右，成本约占 IC 生产成本的 1/3。在所需使用的设备中，*为人所知的当属造价高昂的EUV光刻机。尤其在中芯国际被美国列入“实体清单”后，EUV光刻机也被推至舆论的风口浪尖。EUV光刻机是7nm及以下工艺节点必不可少的生产设备。不过随着集成电路
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